離子真空鍍膜技術(shù)在模具制品的應(yīng)用：真空離子電鍍可區(qū)分為：多弧離子鍍膜、蒸發(fā)源離子鍍膜、濺射離子鍍膜及同基合金離子鍍。
 
1.多弧離子鍍膜(多弧離子真空鍍膜設(shè)備)
 
與常規(guī)的表面處理技術(shù)相比，應(yīng)用于模具的多弧離子鍍的優(yōu)點(diǎn)是鍍層均勻，、鍍材金屬離化率高，適于鍍各種形狀的工件；其缺點(diǎn)是鍍層表面光潔度低。多弧離子鍍是采用電弧放電直接蒸發(fā)靶材，而鍍材則加工成陰極靶接電源負(fù)極，底座接正極。工作時(shí)，將鍍層空氣抽至10-2Pa，然后通入氬氣或其他氣體，恢復(fù)壓強(qiáng)到0．1～10．0 Pa，觸發(fā)電路引發(fā)電弧放電。
 
2.蒸發(fā)源離子鍍(蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備)
 
蒸發(fā)源離子真空鍍膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是鍍層繞鍍能力強(qiáng)，附著性好，組織致密。蒸發(fā)源離子鍍是在真空蒸鍍的基礎(chǔ)上，將真空室抽至低壓(10-2～10-3Pa)，然后通入氬氣，提高壓強(qiáng)到1～10 Pa，蒸發(fā)源用電阻加熱，基材接1～5 kV的負(fù)偏壓，使氬氣產(chǎn)生輝光放電，從而形成低溫等離子體區(qū)，使模具鍍材表面原子電離，從而形成蒸發(fā)源離子鍍的形核并完成離子鍍膜層[1,4]。
 
3. 濺射離子鍍（磁控濺射真空鍍膜設(shè)備）
 
應(yīng)用于模具的濺射離子真空鍍膜技術(shù)較常規(guī)表面處理技術(shù)具有更高的沉積率。濺射離子鍍是把鍍材制成陰極靶，輝光發(fā)電后經(jīng)氬離子轟擊，鍍材原子濺射出來(lái)，原子或離子沉積于基材上完成離子鍍。
 
4. 同基合金離子鍍
 
與常規(guī)的表面處理技術(shù)相比，同基合金離子真空鍍膜技術(shù)具有結(jié)合強(qiáng)度好、無(wú)畸變、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。同基合金離子鍍適合于靶材與基材元素相同的條件，是利用氬氣輝光放電使弧電源將靶材產(chǎn)生的粒子束沉積于工件表面的技術(shù)。